Nabídka firmy TME se rozšířila o další integrovaný obvod IX2113 firmy IXYS. Jeho úkolem je ovládat hradlo tranzistoru typu MOSFET nebo IGBT, kde je důležitá velká rychlost přepínání. Výstupní obvod má dva nezávislé kanály pro dolní a horní stranu (high & low side). Oba s proudovou kapacitou 2A.
Driver je extrémně trvanlivý a prakticky odolný vůči nestabilním stavům napětí du/dt. To vše díky použití technologického procesu high-voltage BCDMOS na podložce SOI (silicon on insulator, tj. křemík na izolátoru), který firma IXYS použila. BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) je klíčová technologie ve výkonových integrovaných obvodech. V jednom chipu se spojují přednosti bipolárních obvodů pro analogová řešení, obvodů CMOS pro číslicové aplikace, obvodů DMOS pro vysoká napětí a výkony.
Jiné vlastnosti:
- Odolnost vůči nestabilním stavům napětí du/dt
- Kompatibilita s logikou pracující při napětí ve standardu 3,3 V
- UVLO (UnderVoltage LockOut) – blokování obou výstupů pro dolní a horní stranu při poklesu napětí
| Napěťová třída: |
+600 V |
| Proudová kapacita: |
-2 A/+2 A |
| Soulad zpoždění průchodu signálu: |
20 ns |
Prohlédněte si IX2113 v provedení SMD a THT »
| Označení |
Popis |
| IX2113B |
IC:driver;high-/low-side,hradlový budič;-2÷2A;Kanály:2 |
| IX2113G |
IC:driver;high-/low-side,hradlový budič;-2÷2A;Kanály:2 |