Neue XHP™ 2 CoolSiC™-Leistungsmodule von Infineon steigern Effizienz und Leistungsdichte in Hochspannungs-Energiesystemen
Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an XHP™ 2-Leistungsmodulen um neue Varianten mit CoolSiC™ MOSFETs 2300 V, die speziell für Hochspannungs-Energiesysteme entwickelt wurden. Die neuen Bauteile unterstützen Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 V und adressieren damit den Trend hin zu höheren Systemspannungen.
Die Module sind in mehreren Varianten erhältlich und bieten Einschaltwiderstände (RDS(on)) von 1 mΩ bis 2 mΩ sowie Isolationsspannungen von wahlweise 4 kV oder 6 kV. Dank der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie reduzieren sie sowohl Schalt- als auch Leitverluste gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen. Dadurch können Entwicklerinnern und Entwickler Wechselrichter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte realisieren oder höhere Schaltfrequenzen einsetzen, um Oberschwingungen zu minimieren und die Systemgröße zu reduzieren. Die neuen XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module eignen sich besonders für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, darunter Windkraft-, Photovoltaik- und Batteriespeichersysteme.
Die Module im XHP 2-Gehäuse zeichnen sich durch ein symmetrisches Schaltverhalten aus, das ein einfaches Parallelschalten in großen Leistungsumrichtern ermöglicht. Als standardisierte Plattform erlauben sie es, Effizienz und Leistung gezielt an die jeweiligen Anwendungsanforderungen anzupassen. Alle Varianten verfügen über die bewährte .XT-Verbindungstechnologie von Infineon, die die Zuverlässigkeit erhöht und die Lebensdauer verlängert. Zudem sind die Module mit einem bereits aufgebrachten Wärmeleitmaterial erhältlich, was die Montage vereinfacht und eine konstante thermische Leistung unterstützt.
Diese Eigenschaften führen zu messbaren Vorteilen auf Systemebene. In einem Windkraft-Demonstrationssystem wurde eine Leistungsdichte von 300 kW/L erreicht, während Tests in Batteriespeichersystemen Halbleiterverluste von weniger als 0,7 Prozent der Ausgangsleistung zeigten. Mit der Portfolio-Erweiterung unterstützt Infineon skalierbare Lösungen für Hochspannungs-Energiesysteme der nächsten Generation in einer Vielzahl von Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien.
Verfügbarkeit
Die XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module mit einer Nennspannung von 2300 V, FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1 und FF1000UXTR23T2M1_B5, sind ab sofort bei Infineon und seinen Vertriebspartnern erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter https://www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules.