En los últimos años, el rápido crecimiento de la IA generativa y el procesamiento de grandes volúmenes de datos ha acelerado la implantación de servidores de alto rendimiento en el sector de los equipos industriales. El consiguiente aumento de la densidad de potencia está ejerciendo una mayor presión sobre las infraestructuras eléctricas, hasta el punto en el que incluso se llega a temer una escasez localizada del suministro. Aunque las redes inteligentes que combinan fuentes de energía renovables (por ejemplo, la energía solar) con las redes de suministro eléctrico convencionales se perfilan como una posible solución, minimizar las pérdidas durante la conversión y el almacenamiento de la energía sigue siendo un desafío clave.

En el sector de la automoción, los vehículos eléctricos de última generación requieren una mayor autonomía de crucero y una carga más rápida, lo que genera una demanda de inversores con menos pérdidas y cargadores de a bordo (OBC) de mayor rendimiento. Ante esta situación, la adopción de dispositivos de SiC capaces tanto de lograr bajas pérdidas como alta eficiencia está aumentando en aplicaciones de alta potencia que van desde unos pocos kilovatios a cientos de kilovatios.

Como empresa global de semiconductores de primer nivel, ROHM fue la primera empresa del mundo en iniciar la producción en masa de MOSFET de SiC en 2010, contribuyendo así a reducir las pérdidas de energía mediante la implementación de dispositivos de SiC en una amplia gama de aplicaciones de alta potencia, incluyendo la oferta de una gama inicial de productos que cumplen las normas de fiabilidad en automoción, como la AEC-Q101. Además, los MOSFET de SiC de 4^ª generación, cuyo suministro de muestras comenzó en junio de 2020, han sido adoptados en todo el mundo en aplicaciones industriales y de automoción. Están disponibles en una amplia cartera de productos, que incluye tanto dispositivos discretos como módulos, lo que favorece la rápida adopción de la tecnología SiC por parte del mercado.

Los MOSFET de SiC de 5^ª generación recientemente desarrollados consiguen unas pérdidas ultrabajas líderes en la industria, lo que impulsa una adopción cada vez más extendida de la tecnología de SiC. Gracias a las mejoras estructurales y a la optimización del proceso de fabricación, la resistencia en conducción se reduce aproximadamente un 30 % durante el funcionamiento a alta temperatura (Tj=175°C) en comparación con los productos convencionales de 4^ª generación (en las mismas condiciones de tensión de ruptura y tamaño de chip). Esta mejora contribuye a reducir el tamaño de las unidades al tiempo que aumenta la potencia de salida en aplicaciones de alta temperatura, como los inversores de tracción para xEV.

ROHM comenzó a dar apoyo al negocio de las chips desnudos con MOSFET de SiC de 5^ª generación en 2025 y completó el desarrollo en marzo de 2026. Además, a partir del Julio de 2026, ROHM suministrará muestras de dispositivos discretos y módulos que incorporen MOSFET de SiC de 5^ª generación.

En el futuro, ROHM tiene previsto ampliar su gama de MOSFET de SiC de 5^ª generación con opciones adicionales de tensión de ruptura y encapsulado. ROHM también seguirá mejorando sus herramientas de diseño y reforzando el apoyo a las aplicaciones. Al seguir promoviendo la implantación de la tecnología SiC —que ahora entra en una fase de adopción generalizada— ROHM contribuye a una utilización más eficiente de la energía en una amplia variedad de aplicaciones de alta potencia.

Ejemplos de aplicación

Sistemas para automoción: inversores de tracción de xEV, cargadores de a bordo (OBC), convertidores CC-CC, compresores eléctricos

Equipamiento industrial: fuentes de alimentación para servidores de IA y centros de datos, inversores de energía fotovoltaica, ESS (sistemas de almacenamiento de energía), SAI (sistemas de alimentación ininterrumpida), eVTOL (vehículos eléctricos de despegue y aterrizaje vertical) y servos de CA

Marca EcoSiC™

EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC) y que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por mostrar un rendimiento incluso superior al del silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente las tecnologías básicas necesarias para el avance de los dispositivos de SiC de forma completamente interna, desde la fabricación de obleas y el desarrollo de procesos hasta el encapsulado y el control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción totalmente integrado que abarca todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder en el ámbito SiC.

*EcoSiC™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd.