Ces dernières années, l’essor fulgurant de l’IA générative et du traitement des mégadonnées a entraîné un déploiement accéléré de serveurs à hautes performances dans le secteur des équipements industriels. L’augmentation de la densité de puissance qui en résulte exerce une pression accrue sur les infrastructures électriques, ce qui fait craindre des ruptures d’approvisionnement localisées. Alors que les réseaux électriques intelligents combinant les sources d’énergie renouvelable (par exemple l’énergie solaire) avec les réseaux d’alimentation électrique existants apparaissent comme une solution possible, la minimisation des pertes lors de la conversion et du stockage de l’énergie reste un défi majeur.

Dans le secteur automobile, les véhicules électriques de future génération exigent une autonomie accrue et une recharge plus rapide. Ces contraintes entraînent une demande croissante pour des onduleurs à faibles pertes et des chargeurs embarqués (OBC) plus performants. Dans ce contexte, l’adoption de composants SiC capables à la fois de faibles pertes et d’un rendement élevé est en hausse pour les applications de haute puissance, allant de quelques kilowatts à plusieurs centaines de kilowatts.

ROHM a été la première entreprise de semiconducteurs au monde à commencer la production en série de MOSFET SiC en 2010. Grâce à cette innovation, elle a contribué à réduire les pertes d’énergie en mettant en œuvre des composants SiC dans un vaste éventail d’applications à haute puissance, notamment en proposant une première gamme de produits conformes aux standards de fiabilité automobile, comme la norme AEC-Q101. En outre, les MOSFET SiC de 4^e génération, pour lesquels la livraison d’échantillons a commencé en juin 2020, ont été adoptés à l’échelle mondiale dans des applications automobiles et industrielles. Ils se déclinent dans une large gamme de produits, incluant à la fois les composants et les modules discrets, ce qui facilite l’adoption rapide de la technologie SiC par le marché.

Les nouveaux MOSFET SiC de 5^e génération présentent des pertes minimales, de premier plan dans l’industrie et favorisant l’adoption de la technologie SiC. Grâce à des modifications de la structure et à une meilleure gestion de la méthode de fabrication, la résistance à l’état passant est abaissée d’environ 30% lors d’un fonctionnement à haute température (Tj=175°C) par rapport aux produits conventionnels de 4^e génération (dans les mêmes conditions de tension de claquage et de taille de puce). Cette amélioration contribue à réduire la taille des unités tout en accroissant la puissance de sortie dans les applications à températures élevées, comme les onduleurs de traction pour les véhicules électriques (xEV).

En 2025, ROHM a lancé son soutien à la production de matrices nues avec des MOSFET SiC de 5^e génération et en a achevé le développement en mars 2026. A compter de juillet 2026, ROHM fournira des échantillons de composants et de modules discrets embarquant des MOSFET SiC de 5^e génération.

À l’avenir, ROHM prévoit d’augmenter sa gamme de MOSFET SiC de 5^e génération, offrant des options supplémentaires de tension de claquage et de boîtiers. ROHM poursuivra également l’amélioration de ses outils de conception et le renforcement du soutien des applications. En favorisant l’adoption croissante de la technologie SiC, qui est actuellement en plein essor, ROHM contribue à une utilisation plus efficace de l’électricité dans une myriade d’applications à haute puissance.

Exemples d’applications

Systèmes automobiles : Onduleurs de traction xEV, chargeurs embarqués (OBC), convertisseurs DC-DC, compresseurs électriques

Équipements industriels : Alimentations en courant pour serveurs IA et centres de données, onduleurs PV, SSE (systèmes de stockage d’énergie), ASI (alimentations sans interruption), ADAV électriques, moteurs servo AC

La marque EcoSiC™

EcoSiC™ est une marque de composants utilisant le carbure de silicium, qui attire l’attention dans le domaine des appareils d’alimentation en affichant des performances supérieures à celles du silicium. ROHM développe de manière indépendante les technologies centrales nécessaires pour faire progresser les composants SiC. Cela inclut la fabrication des tranches et le développement des processus, ainsi que l’encapsulation et le contrôle de la qualité. En même temps, nous avons mis en place un système de production entièrement intégré couvrant l’ensemble du flux de fabrication, ce qui nous a permis de consolider notre statut de fournisseur de SiC de premier plan.

*EcoSiC™ est une marque commerciale ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd.