Oferta firmy TME została rozszerzona o kolejny układ scalony IX2113 firmy IXYS. Jego zadaniem jest sterowanie bramką tranzystora typu MOSFET lub IGBT, gdzie ważna jest duża szybkość przełączania. Obwód wyjściowy to dwa niezależne kanały w stanie niskim i wysokim (high & low side). Oba o wydajności prądowej 2A.
Driver jest ekstremalnie wytrzymały i praktycznie odporny na stany nieustalone napięć du/dt. To wszystko dzięki zastosowaniu przez firmę IXYS procesu technologicznego: high-voltage BCDMOS na podłożu SOI (silicon on insulator, tj. krzem na izolatorze). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) to kluczowa technologia w układach scalonych mocy. W jednym chipie łączy zalety: układów bipolarnych do rozwiązań analogowych, układów CMOS do zastosowań cyfrowych, układów DMOS do wysokich napięć i mocy.
Inne cechy:
- Odporność na zmiany stanów nieustalonych napięcia du/dt
- Kompatybilność z logiką napięć pracujących w standardzie 3,3V
- UVLO (UnderVoltage LockOut) - blokada spadku napięcia na obu wyjściach stanie wysokim i niskim
| Klasa napięciowa: |
+600V |
| Wydajność prądowa: |
-2A/+2A |
| Dopasowanie opóźnień propagacyjnych: |
20ns |
Zobacz IX2113 w wersji SMD i THT »
| Symbol |
Opis |
| IX2113B |
IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2 |
| IX2113G |
IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2 |