Предложение TME расширилось еще одной интегральной схемой IX2113 фирмы IXYS. Её задача - управлять затвором МОП- или IGBT-транзисторов, где важна высокая скорость переключения. Выходная цепь представляет собой два независимых канала с низким и высоким состояниями. Оба с токоотдачей 2А.
Драйвер очень надежный и практически устойчивый к переходным процессам du/dt. Все это благодаря применению фирмой IXYS технологического процесса: high-voltage BCDMOS на подложке SOI (silicon on insulator, т.е. кремний на изоляторе). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) является ключевой технологией в интегральных схемах мощности. В одном чипе сочетает преимущества биполярных схем для аналоговых решений, CMOS-схем для цифровых приложений, DMOS-схем для высоких напряжений и мощности.
Другие свойства:
- устойчивость к переходным процессам напряжения du/dt
- Совместимость с логикой напряжений, работающих по стандарту 3,3V
- UVLO (UnderVoltage LockOut) - блокировка падения напряжения на обоих выходах высокого и низкого состояний
| Класс напряжения: |
+600 В |
| Токоотдача: |
-2A/+2A |
| Настройка задержки распространения: |
20 нс |
Смотреть IX2113 в версии SMD и THT »
| Символ |
Описание |
| IX2113B |
IC:драйвер;high-/low-side,контроллер затвора;-2÷2A;Каналы:2 |
| IX2113G |
IC:драйвер;high-/low-side,контроллер затвора;-2÷2A;Каналы:2 |